1mm InGaAs PIN fotodióda TO46

Prehľad produktu-1mm InGaAs PIN fotodióda TO46

1mm InGaAs PIN fotodióda (model BPD-1STO46B-FW) od Box Optronics je vysokovýkonný InGaAs fotodetektor určený pre aplikácie detekcie blízkeho infračerveného žiarenia (NIR). Vďaka štruktúre PIN diódy premieňa dopadajúci optický výkon v rozsahu vlnových dĺžok 900–1650 nm na proporcionálny fotoprúd s vysokou linearitou a citlivosťou. Disponuje aktívnou plochou s priemerom 1 mm. Fotodióda balená v hermetickej kovovej plechovke TO46 s plochým optickým okienkom je mechanicky robustná, zaisťuje stabilný výkon v náročných priemyselných a laboratórnych podmienkach. Tieto atribúty z neho robia vynikajúcu voľbu pre monitorovanie optického výkonu, testovacie meranie optických vlákien, laserovú detekciu a NIR spektroskopiu.

Kľúčové vlastnosti-1mm InGaAs PIN fotodióda TO46

• Priemer aktívnej plochy: 1 mm pre efektívny zber svetla

• Široký rozsah spektrálnej odozvy: 900 nm až 1 650 nm

• Vysoká odozva: 0,9 A/W typická pri 1310 nm, 0,95 A/W pri 1550 nm

• Ultra nízky tmavý prúd, nízka kapacita spoja

• Vysoká spoľahlivosť a dlhodobá stabilita

• Hermetický kovový obal na ploché okno TO46

• Štandardná konfigurácia TO-CAN pre jednoduchú montáž

Typické aplikácie-1mm InGaAs PIN fotodióda TO46

• Optické merače výkonu a moduly na monitorovanie optického výkonu

• Zariadenia na testovanie a meranie optických vlákien

• Detekcia optického signálu a monitorovanie napájania v telekomunikačných systémoch

• Near-infrared (NIR) spektroskopia a analytické prístroje

• Systémy na monitorovanie a kontrolu výkonu lasera

• Kalibrácia a charakterizácia optického atenuátora

• Výskum a vývoj vo fotonických laboratóriách

• Integrácia optických modulov a vývoj fotonického subsystému

Technické špecifikácie-1mm InGaAs PIN fotodióda TO46

Absolútne maximálne hodnotenia (TC = 25 °C)

Elektrooptické vlastnosti (TC = 25 °C)

Podrobnosti o produkte-1mm InGaAs PIN fotodióda TO46

Čo je to InGaAs PIN fotodióda?

InGaAs PIN fotodióda je vysoko citlivý polovodičový detektor určený na optickú detekciu blízkeho infračerveného žiarenia (NIR). Na základe polovodičovej štruktúry P-I-N konvertuje dopadajúce fotóny na fotoprúd s vynikajúcou linearitou a stabilitou.

Fotodiódy InGaAs pracujúce od 900nm do 1700nm poskytujú vysokú odozvu naprieč optickými komunikačnými pásmami a oblasťou SWIR, vďaka čomu sú vhodné na testovanie optických vlákien, monitorovanie optického výkonu, spektroskopiu a snímacie aplikácie.

1 mm aktívna oblasť ponúka vylepšenú schopnosť zberu svetla a zlepšenú toleranciu spojenia, čím poskytuje vynikajúcu rovnováhu medzi citlivosťou, flexibilitou zarovnania a rýchlosťou detekcie.

Najdôležitejšie vlastnosti - 1 mm InGaAs PIN fotodióda TO46

• Vysoká odozva a kvantová účinnosť

• Ultra-nízky tmavý prúd

• Nízka kapacita a rýchla odozva

• Široké spektrálne pokrytie

• Hermetický balíček TO46

Rozmery balenia a definícia pinu-1mm InGaAs PIN fotodióda TO46

Typ balenia: TO46 hermetická kovová plechovka, ploché okno (TO-CAN 3-kolíkové)

Priemer plechovky: φ5,4 ± 0,2 mm (vonkajší), φ4,7 ± 0,1 mm (vnútorný)

Priemer okna:φ3,9 ± 0,1 mm

Konfigurácia kolíkov (pohľad zdola): kolík 1 = anóda (strana P), kolík 2 = puzdro (GND), kolík 3 = katóda (strana N)

Informácie o objednávke

Modelová nomenklatúra

BPD – X X AŽ XX – X – X

Príklad: BPD-1STO46B-FW

Datasheet-1mm InGaAs PIN fotodióda TO46

Datasheet

Dodacia lehota

• Štandardné jednotky (modely na sklade): 3 – 5 pracovných dní

• Štandardná výroba: 10 – 15 pracovných dní

• Množstvo objednávok: Kontaktujte nás pre plán výroby

• Medzinárodná doprava: ~5 pracovných dní (DHL/UPS/FedEx express)

• Rýchla služba: k dispozícii na požiadanie

Poznámky k prevádzke a manipulácia - 1 mm InGaAs PIN fotodióda TO46

• Fotodiódy sú zariadenia citlivé na elektrostatický výboj (ESD) – vždy používajte správnu ESD ochranu

• Nedotýkajte sa elektród priamo holými prstami, aby ste predišli kontaminácii a poškodeniu ESD

• Nepoužívané zariadenia skladujte v balení alebo vodivých podnosoch odolných voči elektrostatickému výboju, aby ste predišli poškodeniu elektrostatickým výbojom